Ostaa SI4936BDY-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
Toimittaja Device Package: | 8-SO |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 35 mOhm @ 5.9A, 10V |
Virta - Max: | 2.8W |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 15 Weeks |
Valmistajan osanumero: | SI4936BDY-T1-GE3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 530pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2.8W Surface Mount 8-SO |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 6.9A |
Email: | sales@bychips.com |