SI4936BDY-T1-GE3
Osa numero:
SI4936BDY-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15197 Pieces
Tietolomake:
SI4936BDY-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI4936BDY-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI4936BDY-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI4936BDY-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:35 mOhm @ 5.9A, 10V
Virta - Max:2.8W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:15 Weeks
Valmistajan osanumero:SI4936BDY-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:530pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
FET tyyppi:2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2.8W Surface Mount 8-SO
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:6.9A
Email:sales@bychips.com

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit
Loading...