Ostaa SI4965DY-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SI4965DY-T1-GE3
- Osa numero:
- SI4965DY-T1-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15597 Pieces
- Tietolomake:
- SI4965DY-T1-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SI4965DY-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI4965DY-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 450mV @ 250µA (Min) |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | 8-SO |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 21 mOhm @ 8A, 4.5V |
| Virta - Max: | 2W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | SI4965DY-T1-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 55nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 2W Surface Mount 8-SO |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 8V |
| Kuvaus: | MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SI4965DY-T1-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SI4967DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC | tiedustelu |
|
SI4963BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
NDS9947 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 8-SOIC | tiedustelu |
|
SI4966DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC | tiedustelu |
|
AO4606L_DELTA | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 8SOIC | tiedustelu |
 |
ZXMD63N03XTA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP | tiedustelu |
 |
AON6998 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A DFN | tiedustelu |
|
SI4967DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC | tiedustelu |
|
SI4963BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC | tiedustelu |
|
SI4965DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC | tiedustelu |
 |
2N7002VA | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563F | tiedustelu |
 |
PMDPB56XN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6 | tiedustelu |
|
SI4966DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog