Ostaa SI4973DY-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SI4973DY-T1-GE3
- Osa numero:
- SI4973DY-T1-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17844 Pieces
- Tietolomake:
- SI4973DY-T1-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SI4973DY-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI4973DY-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | 8-SO |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 23 mOhm @ 7.6A, 10V |
| Virta - Max: | 1.1W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | SI4973DY-T1-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 56nC @ 10V |
| FET tyyppi: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5.8A 1.1W Surface Mount 8-SO |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 5.8A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SI4973DY-T1-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SI4973DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
DMP2060UFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN | tiedustelu |
 |
IRFH4251DTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN | tiedustelu |
|
SI4972DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
APTC90TAM60TPG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P | tiedustelu |
 |
NTQD6968NR2G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP | tiedustelu |
 |
IPG20N06S2L35AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | tiedustelu |
|
SI4974DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
NX3008NBKS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP | tiedustelu |
|
SI4972DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC | tiedustelu |
|
NTQD6968N | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP | tiedustelu |
 |
HP8KA1TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers