Ostaa SI5402BDC-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 1206-8 ChipFET™ |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 35 mOhm @ 4.9A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 1.3W (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-SMD, Flat Lead |
Muut nimet: | SI5402BDC-T1-E3TR SI5402BDCT1E3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | SI5402BDC-T1-E3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4.9A (Ta) |
Email: | [email protected] |