SI5486DU-T1-GE3
SI5486DU-T1-GE3
Osa numero:
SI5486DU-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13828 Pieces
Tietolomake:
SI5486DU-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI5486DU-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI5486DU-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI5486DU-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:15 mOhm @ 7.7A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):3.1W (Ta), 31W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerVDFN
Muut nimet:SI5486DU-T1-GE3TR
SI5486DUT1GE3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SI5486DU-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2100pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:54nC @ 8V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 20V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit