Ostaa SI5515DC-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
---|---|
Toimittaja Device Package: | 1206-8 ChipFET™ |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
Virta - Max: | 1.1W |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-SMD, Flat Lead |
Muut nimet: | SI5515DC-T1-E3TR SI5515DCT1E3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 15 Weeks |
Valmistajan osanumero: | SI5515DC-T1-E3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.5nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | N and P-Channel |
FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.4A, 3A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
Kuvaus: | MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4.4A, 3A |
Email: | [email protected] |