Ostaa SI5922DU-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SI5922DU-T1-GE3
- Osa numero:
- SI5922DU-T1-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET ARRAY 2N-CH 30V CHIPFET
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17020 Pieces
- Tietolomake:
- SI5922DU-T1-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SI5922DU-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI5922DU-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 19.2 mOhm @ 5A, 10V |
| Virta - Max: | 10.4W |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Muut nimet: | SI5922DU-T1-GE3DKR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SI5922DU-T1-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 765pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.1nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Standard |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A (Tc) 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET ARRAY 2N-CH 30V CHIPFET |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SI5922DU-T1-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
ZDM4206NTC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 1A SOT-223-8 | tiedustelu |
 |
DMN2041UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN | tiedustelu |
 |
VQ1001P-2 | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | tiedustelu |
|
SQJ946EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V SO8 | tiedustelu |
 |
ZXMN3A06DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC | tiedustelu |
 |
FDW2508PB | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 6A 8-TSSOP | tiedustelu |
 |
APTC60AM42F2G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2 | tiedustelu |
 |
BSL214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP | tiedustelu |
 |
SI5920DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8 | tiedustelu |
|
SI5920DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8 | tiedustelu |
 |
2N7002PV,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666 | tiedustelu |
|
FDC6000NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6SSOT | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog