SI5922DU-T1-GE3
SI5922DU-T1-GE3
Osa numero:
SI5922DU-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET ARRAY 2N-CH 30V CHIPFET
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17020 Pieces
Tietolomake:
SI5922DU-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI5922DU-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI5922DU-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI5922DU-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Toimittaja Device Package:PowerPAK® ChipFet Dual
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:19.2 mOhm @ 5A, 10V
Virta - Max:10.4W
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:PowerPAK® ChipFET™ Dual
Muut nimet:SI5922DU-T1-GE3DKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:SI5922DU-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:765pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:7.1nC @ 4.5V
FET tyyppi:2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Standard
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A (Tc) 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET ARRAY 2N-CH 30V CHIPFET
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit