Ostaa SI6469DQ-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 450mV @ 250µA (Min) |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 8-TSSOP |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 28 mOhm @ 6A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 1.5W (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | SI6469DQ-T1-E3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 40nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 8V 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
Valua lähde jännite (Vdss): | 8V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 8V 8TSSOP |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | - |
Email: | [email protected] |