Ostaa SI7107DN-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 450µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PowerPAK® 1212-8 |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 10.8 mOhm @ 15.3A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 1.5W (Ta) |
Pakkaus: | Original-Reel® |
Pakkaus / Case: | PowerPAK® 1212-8 |
Muut nimet: | SI7107DN-T1-E3DKR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | SI7107DN-T1-E3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 44nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 20V 9.8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 9.8A (Ta) |
Email: | [email protected] |