Ostaa SI7135DP-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PowerPAK® SO-8 |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 3.9 mOhm @ 20A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | PowerPAK® SO-8 |
Muut nimet: | SI7135DP-T1-GE3TR SI7135DPT1GE3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
Valmistajan osanumero: | SI7135DP-T1-GE3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 8650pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 250nC @ 10V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 30V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |