SI7224DN-T1-GE3
SI7224DN-T1-GE3
Osa numero:
SI7224DN-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12377 Pieces
Tietolomake:
SI7224DN-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI7224DN-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI7224DN-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI7224DN-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Toimittaja Device Package:PowerPAK® 1212-8 Dual
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:35 mOhm @ 6.5A, 10V
Virta - Max:17.8W, 23W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:PowerPAK® 1212-8 Dual
Muut nimet:SI7224DN-T1-GE3TR
SI7224DNT1GE3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:24 Weeks
Valmistajan osanumero:SI7224DN-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:570pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:14.5nC @ 10V
FET tyyppi:2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 17.8W, 23W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:6A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit