Ostaa SI7464DP-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PowerPAK® SO-8 |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 240 mOhm @ 2.8A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 1.8W (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | PowerPAK® SO-8 |
Muut nimet: | SI7464DP-T1-E3TR SI7464DPT1E3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
Valmistajan osanumero: | SI7464DP-T1-E3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 200V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 200V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 1.8A (Ta) |
Email: | [email protected] |