SI7949DP-T1-GE3
SI7949DP-T1-GE3
Osa numero:
SI7949DP-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13546 Pieces
Tietolomake:
SI7949DP-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI7949DP-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI7949DP-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI7949DP-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Toimittaja Device Package:PowerPAK® SO-8 Dual
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:64 mOhm @ 5A, 10V
Virta - Max:1.5W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:PowerPAK® SO-8 Dual
Muut nimet:SI7949DP-T1-GE3TR
SI7949DPT1GE3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:15 Weeks
Valmistajan osanumero:SI7949DP-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
FET tyyppi:2 P-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 3.2A 1.5W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3.2A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit