Ostaa SI7972DP-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.7V @ 250µA |
---|---|
Toimittaja Device Package: | PowerPAK® SO-8 Dual |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 18 mOhm @ 11A, 10V |
Virta - Max: | 22W |
Pakkaus: | Original-Reel® |
Pakkaus / Case: | PowerPAK® SO-8 Dual |
Muut nimet: | SI7972DP-T1-GE3DKR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
Valmistajan osanumero: | SI7972DP-T1-GE3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1050pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
FET Ominaisuus: | Standard |
Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A (Tc) 22W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
Kuvaus: | MOSFET ARRAY 2N-CH 60V 8A SO8 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
Email: | [email protected] |