SI7983DP-T1-GE3
SI7983DP-T1-GE3
Osa numero:
SI7983DP-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16485 Pieces
Tietolomake:
SI7983DP-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI7983DP-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI7983DP-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI7983DP-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 600µA
Toimittaja Device Package:PowerPAK® SO-8 Dual
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:17 mOhm @ 12A, 4.5V
Virta - Max:1.4W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:PowerPAK® SO-8 Dual
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SI7983DP-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:74nC @ 4.5V
FET tyyppi:2 P-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 7.7A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:7.7A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit