SI8424CDB-T1-E1
SI8424CDB-T1-E1
Osa numero:
SI8424CDB-T1-E1
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14747 Pieces
Tietolomake:
SI8424CDB-T1-E1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI8424CDB-T1-E1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI8424CDB-T1-E1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI8424CDB-T1-E1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:800mV @ 250µA
Vgs (Max):±5V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:4-Microfoot
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:20 mOhm @ 2A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:4-UFBGA, WLCSP
Muut nimet:SI8424CDB-T1-E1TR
SI8424CDBT1E1
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:24 Weeks
Valmistajan osanumero:SI8424CDB-T1-E1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2340pF @ 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 8V 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):1.2V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss):8V
Kuvaus:MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit