SI8461DB-T2-E1
SI8461DB-T2-E1
Osa numero:
SI8461DB-T2-E1
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18402 Pieces
Tietolomake:
SI8461DB-T2-E1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI8461DB-T2-E1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI8461DB-T2-E1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI8461DB-T2-E1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:4-Microfoot
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:4-XFBGA, CSPBGA
Muut nimet:SI8461DB-T2-E1TR
SI8461DBT2E1
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:24 Weeks
Valmistajan osanumero:SI8461DB-T2-E1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:610pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 8V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 20V 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit