SIAA40DJ-T1-GE3
SIAA40DJ-T1-GE3
Osa numero:
SIAA40DJ-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 30A SC70-6
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15404 Pieces
Tietolomake:
SIAA40DJ-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SIAA40DJ-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIAA40DJ-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SIAA40DJ-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.4V @ 250µA
Vgs (Max):+20V, -16V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PowerPAK® SC-70-6 Single
Sarja:TrenchFET® Gen IV
RDS (Max) @ Id, Vgs:12.5 mOhm @ 5A, 10V
Tehonkulutus (Max):19.2W (Tc)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:PowerPAK® SC-70-6
Muut nimet:SIAA40DJ-T1-GE3DKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:SIAA40DJ-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 40V 30A (Tc) 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):40V
Kuvaus:MOSFET N-CH 40V 30A SC70-6
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit