Ostaa SIDC09D60E6Y BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SIDC09D60E6Y
- Osa numero:
- SIDC09D60E6Y
- Kuvaus:
- DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17317 Pieces
- Tietolomake:
- SIDC09D60E6Y.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SIDC09D60E6Y, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIDC09D60E6Y sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.7V @ 20A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 600V |
| Toimittaja Device Package: | Sawn on foil |
| Nopeus: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sarja: | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 150ns |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | Die |
| Muut nimet: | SP000012548 |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -55°C ~ 150°C |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | SIDC09D60E6Y |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Standard 600V 20A (DC) Surface Mount Sawn on foil |
| diodi Tyyppi: | Standard |
| Kuvaus: | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 27µA @ 600V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 20A (DC) |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SIDC09D60E6Y
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SIDC09D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER | tiedustelu |
|
SIDC09D60E6 UNSAWN | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | tiedustelu |
|
SIDC09D60E6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | tiedustelu |
|
SIDC03D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER | tiedustelu |
|
SIDC06D60C6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | tiedustelu |
|
SIDC03D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER | tiedustelu |
|
SIDC03D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER | tiedustelu |
|
SIDC04D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 9A WAFER | tiedustelu |
|
SIDC01D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER | tiedustelu |
|
SIDC08D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 7A WAFER | tiedustelu |
|
SIDC03D60C6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER | tiedustelu |
|
SIDC06D60AC6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers