Ostaa SIDC14D60E6 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SIDC14D60E6
- Osa numero:
- SIDC14D60E6
- Kuvaus:
- DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12797 Pieces
- Tietolomake:
- SIDC14D60E6.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SIDC14D60E6, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIDC14D60E6 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.25V @ 30A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 600V |
| Toimittaja Device Package: | Sawn on foil |
| Nopeus: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Sarja: | - |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | Die |
| Muut nimet: | SP000011941 |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -55°C ~ 150°C |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | SIDC14D60E6 |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Standard 600V 30A (DC) Surface Mount Sawn on foil |
| diodi Tyyppi: | Standard |
| Kuvaus: | DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 27µA @ 600V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 30A (DC) |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SIDC14D60E6
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SIDC14D60C6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER | tiedustelu |
|
SIDC14D120E6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER | tiedustelu |
|
SIDC14D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 45A WAFER | tiedustelu |
|
SIDC16D60SIC3 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 600V 5A WAFER | tiedustelu |
|
SIDC14D60C6Y | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER | tiedustelu |
|
SIDC11D60SIC3 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 600V 4A WAFER | tiedustelu |
|
SIDC14D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER | tiedustelu |
|
SIDC14D60E6Y | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER | tiedustelu |
|
SIDC14D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog