SIE816DF-T1-E3
SIE816DF-T1-E3
Osa numero:
SIE816DF-T1-E3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13986 Pieces
Tietolomake:
SIE816DF-T1-E3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SIE816DF-T1-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIE816DF-T1-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SIE816DF-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4.4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:10-PolarPAK® (L)
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:7.4 mOhm @ 19.8A, 10V
Tehonkulutus (Max):5.2W (Ta), 125W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:10-PolarPAK® (L)
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SIE816DF-T1-E3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:3100pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:77nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit