SIE836DF-T1-E3
SIE836DF-T1-E3
Osa numero:
SIE836DF-T1-E3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12740 Pieces
Tietolomake:
SIE836DF-T1-E3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SIE836DF-T1-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIE836DF-T1-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SIE836DF-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:10-PolarPAK® (SH)
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:130 mOhm @ 4.1A, 10V
Tehonkulutus (Max):5.2W (Ta), 104W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:10-PolarPAK® (SH)
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SIE836DF-T1-E3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:41nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 200V 18.3A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (SH)
Valua lähde jännite (Vdss):200V
Kuvaus:MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:18.3A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit