Ostaa SIHB22N60AE-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SIHB22N60AE-GE3
- Osa numero:
- SIHB22N60AE-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 600V 20A TO263
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14091 Pieces
- Tietolomake:
- SIHB22N60AE-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SIHB22N60AE-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIHB22N60AE-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-263 (D²Pak) |
| Sarja: | E |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 180 mOhm @ 11A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 179W (Tc) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 19 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SIHB22N60AE-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1451pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 96nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 20A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 20A TO263 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SIHB22N60AE-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SIHB24N65E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK | tiedustelu |
|
SIHB22N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | tiedustelu |
|
SIHB22N60S-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK | tiedustelu |
|
SIHB22N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | tiedustelu |
|
SIHB22N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK | tiedustelu |
|
SIHB28N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK | tiedustelu |
|
SIHB24N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 24A TO263 | tiedustelu |
|
SIHB24N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK | tiedustelu |
|
SIHB23N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog