Ostaa SIHB33N60E-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | D2PAK |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 99 mOhm @ 16.5A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 278W (Tc) |
Pakkaus: | Bulk |
Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Muut nimet: | SIHB33N60EGE3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 19 Weeks |
Valmistajan osanumero: | SIHB33N60E-GE3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3508pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 150nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 33A TO-263 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 33A (Tc) |
Email: | [email protected] |