SIHB33N60E-GE3
SIHB33N60E-GE3
Osa numero:
SIHB33N60E-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13583 Pieces
Tietolomake:
SIHB33N60E-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SIHB33N60E-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIHB33N60E-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SIHB33N60E-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D2PAK
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:99 mOhm @ 16.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):278W (Tc)
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:SIHB33N60EGE3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:19 Weeks
Valmistajan osanumero:SIHB33N60E-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:3508pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:150nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount D2PAK
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:33A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit