SIHF12N60E-E3
SIHF12N60E-E3
Osa numero:
SIHF12N60E-E3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15369 Pieces
Tietolomake:
SIHF12N60E-E3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SIHF12N60E-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIHF12N60E-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SIHF12N60E-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220 Full Pack
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:380 mOhm @ 6A, 10V
Tehonkulutus (Max):33W (Tc)
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:TO-220-3 Full Pack
Muut nimet:SIHF12N60EE3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:19 Weeks
Valmistajan osanumero:SIHF12N60E-E3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:937pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:58nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 12A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit