SIHF22N60E-GE3
SIHF22N60E-GE3
Osa numero:
SIHF22N60E-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16211 Pieces
Tietolomake:
SIHF22N60E-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SIHF22N60E-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIHF22N60E-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SIHF22N60E-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Sarja:E
RDS (Max) @ Id, Vgs:180 mOhm @ 11A, 10V
Tehonkulutus (Max):35W (Tc)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:TO-220-3 Full Pack
Muut nimet:SIHF22N60E-GE3DKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:19 Weeks
Valmistajan osanumero:SIHF22N60E-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1920pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:86nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 21A (Tc) 35W (Tc) Through Hole
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:21A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit