SIHG20N50E-GE3
SIHG20N50E-GE3
Osa numero:
SIHG20N50E-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 19A TO-247AC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16784 Pieces
Tietolomake:
SIHG20N50E-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SIHG20N50E-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIHG20N50E-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SIHG20N50E-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-247AC
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:184 mOhm @ 10A, 10V
Tehonkulutus (Max):179W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:19 Weeks
Valmistajan osanumero:SIHG20N50E-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1640pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:92nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 500V 19A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):500V
Kuvaus:MOSFET N-CH 500V 19A TO-247AC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:19A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit