Ostaa SIHP15N60E-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SIHP15N60E-GE3
- Osa numero:
- SIHP15N60E-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14234 Pieces
- Tietolomake:
- SIHP15N60E-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SIHP15N60E-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIHP15N60E-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-220AB |
| Sarja: | E |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 280 mOhm @ 8A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 180W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
| Muut nimet: | SIHP15N60E-GE3TR SIHP15N60E-GE3TR-ND |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 19 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SIHP15N60E-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1350pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 78nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 15A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 15A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SIHP15N60E-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SIHP14N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB | tiedustelu |
|
SIHP18N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 18A TO220 | tiedustelu |
|
SIHP17N60D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB | tiedustelu |
|
SIHP14N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB | tiedustelu |
|
SIHP14N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB | tiedustelu |
|
SIHP15N50E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-220AB | tiedustelu |
|
SIHP15N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB | tiedustelu |
|
SIHP12N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB | tiedustelu |
|
SIHP15N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB | tiedustelu |
|
SIHP12N50E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220AB | tiedustelu |
|
SIHP16N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB | tiedustelu |
|
SIHP12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB | tiedustelu |
|
SIHP12N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog