SIR403EDP-T1-GE3
SIR403EDP-T1-GE3
Osa numero:
SIR403EDP-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12802 Pieces
Tietolomake:
SIR403EDP-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SIR403EDP-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIR403EDP-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SIR403EDP-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.8V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PowerPAK® SO-8
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:6.5 mOhm @ 13A, 10V
Tehonkulutus (Max):5W (Ta), 56.8W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:PowerPAK® SO-8
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:24 Weeks
Valmistajan osanumero:SIR403EDP-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:4620pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:153nC @ 10V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 30V 40A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit