SIR606DP-T1-GE3
SIR606DP-T1-GE3
Osa numero:
SIR606DP-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 37A SO8
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14601 Pieces
Tietolomake:
SIR606DP-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SIR606DP-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIR606DP-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SIR606DP-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.6V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PowerPAK® SO-8
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:16.2 mOhm @ 15A, 10V
Tehonkulutus (Max):44.5W (Tc)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:PowerPAK® SO-8
Muut nimet:SIR606DP-T1-GE3DKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:19 Weeks
Valmistajan osanumero:SIR606DP-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1360pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 6V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 37A (Tc) 44.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 37A SO8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:37A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit