SIZ704DT-T1-GE3
SIZ704DT-T1-GE3
Osa numero:
SIZ704DT-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12577 Pieces
Tietolomake:
SIZ704DT-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SIZ704DT-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIZ704DT-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SIZ704DT-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Toimittaja Device Package:6-PowerPair™
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:24 mOhm @ 7.8A, 10V
Virta - Max:20W, 30W
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:6-PowerPair™
Muut nimet:SIZ704DT-T1-GE3DKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:24 Weeks
Valmistajan osanumero:SIZ704DT-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:435pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
FET tyyppi:2 N-Channel (Half Bridge)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 12A, 16A 20W, 30W Surface Mount 6-PowerPair™
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:12A, 16A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit