Ostaa SIZ730DT-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SIZ730DT-T1-GE3
- Osa numero:
- SIZ730DT-T1-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19324 Pieces
- Tietolomake:
- SIZ730DT-T1-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SIZ730DT-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIZ730DT-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | 6-PowerPair™ |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 9.3 mOhm @ 15A, 10V |
| Virta - Max: | 27W, 48W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 6-PowerPair™ |
| Muut nimet: | SIZ730DT-T1-GE3TR SIZ730DTT1GE3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SIZ730DT-T1-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 830pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 24nC @ 10V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair™ |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 16A, 35A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SIZ730DT-T1-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM50HM38FG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 500V 90A SP6 | tiedustelu |
 |
SI1557DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 12V 1.2A SC70-6 | tiedustelu |
 |
ZXMD65P03N8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
DMN601VKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563 | tiedustelu |
 |
FDW2510NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 6.4A 8TSSOP | tiedustelu |
 |
FDMD8240LET40 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog