Ostaa SJPX-H6VR BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SJPX-H6VR
- Osa numero:
- SJPX-H6VR
- Valmistaja:
- Sanken Electric Co., Ltd.
- Kuvaus:
- DIODE GEN PURP 600V 2A SJP
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14370 Pieces
- Tietolomake:
- 1.SJPX-H6VR.pdf2.SJPX-H6VR.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SJPX-H6VR, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SJPX-H6VR sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.5V @ 2A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 600V |
| Toimittaja Device Package: | 2-SMD |
| Nopeus: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sarja: | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 30ns |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 2-SMD, J-Lead |
| Muut nimet: | SJPX-H6VR DK SJPX-H6VRTR |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -40°C ~ 150°C |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SJPX-H6VR |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Standard 600V 2A Surface Mount 2-SMD |
| diodi Tyyppi: | Standard |
| Kuvaus: | DIODE GEN PURP 600V 2A SJP |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 10µA @ 600V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 2A |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SJPX-H6VR
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
AR3PM-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 1KV 1.6A TO277 | tiedustelu |
 |
RO 2V1 | Sanken | DIODE GEN PURP 400V 1.2A AXIAL | tiedustelu |
 |
EL 1V1 | Sanken | DIODE GEN PURP 400V 1.5A AXIAL | tiedustelu |
 |
SBR8E20P5-7 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 20V 8A POWERDI5 | tiedustelu |
 |
1N5394 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 300V 1.5A DO15 | tiedustelu |
 |
SJPX-H3VR | Sanken | DIODE GEN PURP 300V 2A SJP | tiedustelu |
|
SJPX-F2V | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 1.5A SJP | tiedustelu |
|
SJPX-F2 | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 1.5A SJP | tiedustelu |
|
SJPX-H6 | Sanken | DIODE GEN PURP 600V 2A SJP | tiedustelu |
|
SJPX-H6VL | Sanken | DIODE FAST RECOVERY SMD | tiedustelu |
|
SJPX-H3 | Sanken | DIODE GEN PURP 300V 2A SJP | tiedustelu |
 |
BAV116HWFQ-7 | Diodes Incorporated | DIODE SW 85V 215MA SOD123F | tiedustelu |
 |
IDH02SG120XKSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2 | tiedustelu |
 |
GP02-35-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 3.5KV 250MA DO204 | tiedustelu |
|
SJPX-H6V | Sanken | DIODE GEN PURP 600V 2A SJP | tiedustelu |
|
SJPX-F2VR | Sanken | DIODE GEN PURP 200V 1.5A SJP | tiedustelu |
|
SJPX-H3V | Sanken | DIODE GEN PURP 300V 2A SJP | tiedustelu |
 |
FR70GR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 400V 70A DO5 | tiedustelu |
|
SJPX-F2VL | Sanken | DIODE FAST RECOVERY SMD | tiedustelu |
|
SJPX-H3VL | Sanken | DIODE FAST RECOVERY SMD | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog