Ostaa SMUN5311DW1T3G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
---|---|
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
transistori tyyppi: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Toimittaja Device Package: | SOT-363 |
Sarja: | - |
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia): | 10k |
Vastus - Base (R1) (ohmia): | 10k |
Virta - Max: | 187mW |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 11 Weeks |
Valmistajan osanumero: | SMUN5311DW1T3G |
Taajuus - Siirtyminen: | - |
Laajennettu kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SOT-363 |
Kuvaus: | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 |
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 35 @ 5mA, 10V |
Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA |
Email: | [email protected] |