SPB100N08S2-07
SPB100N08S2-07
Osa numero:
SPB100N08S2-07
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12995 Pieces
Tietolomake:
SPB100N08S2-07.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SPB100N08S2-07, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SPB100N08S2-07 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SPB100N08S2-07 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO263-3-2
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:6.8 mOhm @ 66A, 10V
Tehonkulutus (Max):300W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:SP000013715
SPB100N08S207T
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SPB100N08S2-07
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:6020pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:200nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 75V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Valua lähde jännite (Vdss):75V
Kuvaus:MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit