SPB35N10T
SPB35N10T
Osa numero:
SPB35N10T
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18564 Pieces
Tietolomake:
SPB35N10T.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SPB35N10T, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SPB35N10T sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SPB35N10T BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 83µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO263-3-2
Sarja:SIPMOS®
RDS (Max) @ Id, Vgs:44 mOhm @ 26.4A, 10V
Tehonkulutus (Max):150W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:SP000013627
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SPB35N10T
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1570pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 35A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit