Ostaa SPD07N60S5 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SPD07N60S5
- Osa numero:
- SPD07N60S5
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14015 Pieces
- Tietolomake:
- SPD07N60S5.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SPD07N60S5, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SPD07N60S5 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 350µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO252-3 |
| Sarja: | CoolMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 83W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Muut nimet: | SP000313948 SPD07N60S5INTR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | SPD07N60S5 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 970pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 7.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SPD07N60S5
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SPD07N60S5T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK | tiedustelu |
|
SPD07N60C3T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK | tiedustelu |
 |
IRF1405ZSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | tiedustelu |
 |
IXFX78N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 78A PLUS247 | tiedustelu |
 |
STP11N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 9A TO-220 | tiedustelu |
 |
MTD2955VT4 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | tiedustelu |
 |
SPD07N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | tiedustelu |
|
SPD07N60C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK | tiedustelu |
 |
FDP26N40 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 26A TO-220 | tiedustelu |
|
SPD07N20 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A TO-252 | tiedustelu |
 |
FQAF9P25 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 250V 7.1A TO-3P | tiedustelu |
|
SPD07N20GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A TO252 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers