SPD09P06PL G
SPD09P06PL G
Osa numero:
SPD09P06PL G
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14727 Pieces
Tietolomake:
SPD09P06PL G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SPD09P06PL G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SPD09P06PL G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SPD09P06PL G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO252-3
Sarja:SIPMOS®
RDS (Max) @ Id, Vgs:250 mOhm @ 6.8A, 10V
Tehonkulutus (Max):42W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:SP000443928
SPD09P06PL G-ND
SPD09P06PLG
SPD09P06PLGBTMA1
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:SPD09P06PL G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:450pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 10V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 60V 9.7A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:9.7A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit