SPD30N03S2L07GBTMA1
SPD30N03S2L07GBTMA1
Osa numero:
SPD30N03S2L07GBTMA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17573 Pieces
Tietolomake:
SPD30N03S2L07GBTMA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SPD30N03S2L07GBTMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SPD30N03S2L07GBTMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SPD30N03S2L07GBTMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 85µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO252-3
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:6.7 mOhm @ 30A, 10V
Tehonkulutus (Max):136W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:SP000443922
SPD30N03S2L-07 G
SPD30N03S2L-07 G-ND
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SPD30N03S2L07GBTMA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2530pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:68nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit