Ostaa SPI11N60S5BKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SPI11N60S5BKSA1
- Osa numero:
- SPI11N60S5BKSA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 600V 11A TO-262
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19630 Pieces
- Tietolomake:
- SPI11N60S5BKSA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SPI11N60S5BKSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SPI11N60S5BKSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 500µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO262-3-1 |
| Sarja: | CoolMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 380 mOhm @ 7A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 125W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Muut nimet: | SP000013033 SP000680992 SPI11N60S5 SPI11N60S5-ND SPI11N60S5IN SPI11N60S5IN-ND SPI11N60S5X SPI11N60S5XK |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | SPI11N60S5BKSA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1460pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 54nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SPI11N60S5BKSA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SPI11N60CFDHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | tiedustelu |
 |
SI3446ADV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A 6-TSOP | tiedustelu |
|
SPI11N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 | tiedustelu |
|
SPI11N65C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | tiedustelu |
|
SPI11N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | tiedustelu |
|
IRF5305LPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A TO-262 | tiedustelu |
|
SPI11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | tiedustelu |
 |
AOT11C60PL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH | tiedustelu |
 |
BUK7E4R0-80E,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK | tiedustelu |
 |
APTM20SKM04G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 372A SP6 | tiedustelu |
 |
BUK7C3R8-80EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 186A D2PAK-7 | tiedustelu |
 |
ZVP4424ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog