SPI11N60S5BKSA1
SPI11N60S5BKSA1
Osa numero:
SPI11N60S5BKSA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 11A TO-262
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19630 Pieces
Tietolomake:
SPI11N60S5BKSA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SPI11N60S5BKSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SPI11N60S5BKSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SPI11N60S5BKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5.5V @ 500µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO262-3-1
Sarja:CoolMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:380 mOhm @ 7A, 10V
Tehonkulutus (Max):125W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Muut nimet:SP000013033
SP000680992
SPI11N60S5
SPI11N60S5-ND
SPI11N60S5IN
SPI11N60S5IN-ND
SPI11N60S5X
SPI11N60S5XK
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SPI11N60S5BKSA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1460pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:54nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 11A TO-262
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit