Ostaa SPP04N60S5BKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 200µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO220-3-1 |
Sarja: | CoolMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 50W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
Muut nimet: | SP000012363 SP000681026 SPP04N60S5 SPP04N60S5-ND SPP04N60S5IN SPP04N60S5IN-ND SPP04N60S5X SPP04N60S5XK |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | SPP04N60S5BKSA1 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 580pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 22.9nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |