Ostaa SPP11N60C3XKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SPP11N60C3XKSA1
- Osa numero:
- SPP11N60C3XKSA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17513 Pieces
- Tietolomake:
- SPP11N60C3XKSA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SPP11N60C3XKSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SPP11N60C3XKSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 500µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO220-3-1 |
| Sarja: | CoolMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 380 mOhm @ 7A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 125W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
| Muut nimet: | SP000681040 SPP11N60C3 SPP11N60C3BKSA1 SPP11N60C3IN SPP11N60C3IN-ND SPP11N60C3X SPP11N60C3XIN SPP11N60C3XIN-ND SPP11N60C3XK |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SPP11N60C3XKSA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 650V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SPP11N60C3XKSA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB09N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | tiedustelu |
 |
SPP11N60CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 | tiedustelu |
 |
SPP11N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | tiedustelu |
|
SPP11N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 | tiedustelu |
|
SPP11N60CFDHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 | tiedustelu |
|
SPP11N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB | tiedustelu |
 |
IXTV26N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220 | tiedustelu |
 |
AOB14N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK | tiedustelu |
|
AUIRFS3306TRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 160A D2PAK | tiedustelu |
 |
TPCP8004(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 8.3A PS-8 | tiedustelu |
|
SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog