SPP11N60C3XKSA1
SPP11N60C3XKSA1
Osa numero:
SPP11N60C3XKSA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17513 Pieces
Tietolomake:
SPP11N60C3XKSA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SPP11N60C3XKSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SPP11N60C3XKSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SPP11N60C3XKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.9V @ 500µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO220-3-1
Sarja:CoolMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:380 mOhm @ 7A, 10V
Tehonkulutus (Max):125W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Muut nimet:SP000681040
SPP11N60C3
SPP11N60C3BKSA1
SPP11N60C3IN
SPP11N60C3IN-ND
SPP11N60C3X
SPP11N60C3XIN
SPP11N60C3XIN-ND
SPP11N60C3XK
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:SPP11N60C3XKSA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):650V
Kuvaus:MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit