SPP80N06S2-H5
SPP80N06S2-H5
Osa numero:
SPP80N06S2-H5
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12364 Pieces
Tietolomake:
SPP80N06S2-H5.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SPP80N06S2-H5, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SPP80N06S2-H5 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SPP80N06S2-H5 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 230µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO220-3-1
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:5.5 mOhm @ 80A, 10V
Tehonkulutus (Max):300W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Muut nimet:SP000014000
SPP80N06S2H5
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SPP80N06S2-H5
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:5500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:155nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Valua lähde jännite (Vdss):55V
Kuvaus:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit