SQ2389ES-T1_GE3
Osa numero:
SQ2389ES-T1_GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET P-CHAN 40V SO23
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18747 Pieces
Tietolomake:
SQ2389ES-T1_GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SQ2389ES-T1_GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SQ2389ES-T1_GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SQ2389ES-T1_GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-23-3 (TO-236)
Sarja:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:94 mOhm @ 10A, 10V
Tehonkulutus (Max):3W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:SQ2389ES-T1_GE3TR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:18 Weeks
Valmistajan osanumero:SQ2389ES-T1_GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:420pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 40V 4.1A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):40V
Kuvaus:MOSFET P-CHAN 40V SO23
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4.1A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit