SQJ476EP-T1_GE3
SQJ476EP-T1_GE3
Osa numero:
SQJ476EP-T1_GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 23A SO8
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17580 Pieces
Tietolomake:
SQJ476EP-T1_GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SQJ476EP-T1_GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SQJ476EP-T1_GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SQJ476EP-T1_GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PowerPAK® SO-8
Sarja:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:38 mOhm @ 10A, 10V
Tehonkulutus (Max):45W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:PowerPAK® SO-8
Muut nimet:SQJ476EP-T1_GE3TR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:18 Weeks
Valmistajan osanumero:SQJ476EP-T1_GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 23A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 23A SO8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit