SQJ850EP-T1_GE3
SQJ850EP-T1_GE3
Osa numero:
SQJ850EP-T1_GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 24A
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15762 Pieces
Tietolomake:
SQJ850EP-T1_GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SQJ850EP-T1_GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SQJ850EP-T1_GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SQJ850EP-T1_GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PowerPAK® SO-8
Sarja:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:23 mOhm @ 10.3A, 10V
Tehonkulutus (Max):45W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:PowerPAK® SO-8
Muut nimet:SQJ850EP-T1-GE3
SQJ850EP-T1-GE3-ND
SQJ850EP-T1_GE3TR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:18 Weeks
Valmistajan osanumero:SQJ850EP-T1_GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1225pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 24A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 24A
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit