Ostaa SQJ974EP-T1_GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SQJ974EP-T1_GE3
- Osa numero:
- SQJ974EP-T1_GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET ARRAY 2N-CH 100V SO8
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16442 Pieces
- Tietolomake:
- SQJ974EP-T1_GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SQJ974EP-T1_GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SQJ974EP-T1_GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Sarja: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 25.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Virta - Max: | 48W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Muut nimet: | SQJ974EP-T1_GE3TR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 15 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SQJ974EP-T1_GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1050pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Standard |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Kuvaus: | MOSFET ARRAY 2N-CH 100V SO8 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SQJ974EP-T1_GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
FDS6961A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC | tiedustelu |
 |
SI7236DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8 | tiedustelu |
 |
TPC8212-H(TE12LQ,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 | tiedustelu |
|
SI7983DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8 | tiedustelu |
|
SI7994DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8 | tiedustelu |
 |
IRF8313PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
FDW2502P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 4.4A 8-TSSO | tiedustelu |
 |
APTM50AM25FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 149A SP4 | tiedustelu |
|
ZXMP3F37DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SO | tiedustelu |
 |
MMDF3N04HDR2 | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
CSD87335Q3DT | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 25A | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog