SQM40010EL_GE3
SQM40010EL_GE3
Osa numero:
SQM40010EL_GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18036 Pieces
Tietolomake:
SQM40010EL_GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SQM40010EL_GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SQM40010EL_GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SQM40010EL_GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D²PAK (TO-263)
Sarja:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:1.6 mOhm @ 30A, 10V
Tehonkulutus (Max):375W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:SQM40010EL_GE3-ND
SQM40010EL_GE3TR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:15 Weeks
Valmistajan osanumero:SQM40010EL_GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:17100pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:230nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 40V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):40V
Kuvaus:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:sales@bychips.com

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit
Loading...