Ostaa SSN1N45BTA BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.7V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±50V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-92-3 |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 4.25 Ohm @ 250mA, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 900mW (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Box (TB) |
Pakkaus / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Muut nimet: | SSN1N45BTA-ND SSN1N45BTATB |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 6 Weeks |
Valmistajan osanumero: | SSN1N45BTA |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 240pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.5nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 450V 500mA (Tc) 900mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 450V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 500mA (Tc) |
Email: | [email protected] |