SSR1N60BTM
SSR1N60BTM
Osa numero:
SSR1N60BTM
Valmistaja:
Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16720 Pieces
Tietolomake:
SSR1N60BTM.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SSR1N60BTM, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SSR1N60BTM sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SSR1N60BTM BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D-Pak
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:12 Ohm @ 450mA, 10V
Tehonkulutus (Max):2.5W (Ta), 28W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SSR1N60BTM
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:215pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:7.7nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 900mA (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount D-Pak
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:900mA (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit